 .td_uid_42_5c98d93a973b5_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c98d93a973b5_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Samsung Electronics продължава до подобрява показателите на HBM (High Bandwidth Memory) паметта. По време на събитието GPU Technology Conference 2019 южнокорейският технологичен гигант представи първите чипове HBM2E памет. Новата памет е с 33% по-бърза от сега достъпните на пазара HBM2 чипове памет. Многослойната HBM2E памет, която Samsung нарече Flashbolt, може да се използва в най-различни области, включително в изкуствения интелект, HPC изчисленията, както и графичните карти от много високо high-end ниво. Представените от компанията чипове са с капацитет 16 GB и са съставени от осем слоя. Пропускателната способност е 410 GB (3,2 Gb/s на контакт).  Така например, ако четири подобни чипа се използват в една хипотетична видеокарта AMD Radeon VII, то тя ще разполага с 64 GB буферна памет с впечатляващата пропускателна способност от 1640 GB/s. Но като се има предвид високата цена на Samsung HBM2E паметта, на първо време тя явно ще се използва само в ускорителите за машинно обучение и в системите, изискващи огромни ресурси. .td_uid_41_5c98d93a96f59_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c98d93a96f59_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0} Старшият вицепрезидент на компанията, отговарящ за разработването на всички видове памет в Samsung Electronics Джин Ман Хан (Jin man Han) заяви: „Новата памет Flashbolt е лидер по производителност в този отрасъл и най-напред ще се използва в дата центровете от следващо поколение, както и в изкуствения интелект, машинното обучение и мощните графични приложения“. |
