Toshiba и Western Digital подготвят 128-слойна 3D NAND памет
.td_uid_42_5c83f5aabc85b_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c83f5aabc85b_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Специалистите на компанията Toshiba и Western Digital съвместно създадоха 128-слойни 3D NAND TLC флаш памети с капацитет 512 Gb (64 GB), което е с 33% повече, в сравнение с предишната 96-слойна памет. В номенклатурата на Toshiba този чип се нарича BiCS-5 (BiCS-4 означава 96-слойна, а BiCS-3 – 64 слойна флаш памет).
BiCS-5 кристалът включва четири отделни секции или плоскости (planes), като към всяка от тях е даден независим достъп. Да си припомним, че в BiCS-3 и BiCS-4 се използват две подобни плоскости. Новата технология удвоява скоростта на запис на един канал над два пъти – от 57 MB/s до 132 MB/s.
Освен това, в новите чипове се използва Circuit-under-Array (CuA) дизайна, при който цифровата логика за управлението на паметта е разположена в най-долния слой. Благодарение на този подход, размерите на кристала са намалели с 15% в сравнение с чиповете без CuA.
Специалистите на двете компании са всели решение за достъп до данните да се използват страници от по 4 KB, като по този начин е понижена консумацията на електрическа енергия. В сега съществуващите чипове флаш памет се използват 16 KB страници.
Старшият аналитик на Wells Fargo Аарон Райкърс (Aaron Rakers) заяви, че съвсем скоро Toshiba и Western Digital ще предложат най-високата в индустрията плътност на чипа. Продажбите на 128-слойните 3D NAND чипове са планирани за началото на следващата година.