Над 20 японски и американски компании от полупроводниковия отрасъл обединиха своите усилия за разработване и представяне на масовия пазар на стандартизирани чипове памет с MRAM технология (magnetoresistive random access memory или магниторезистивна оперативна памет).

MRAM

Паметта от новия тип позволява увеличаването на информационната плътност над десет пъти, в сравнение със сегашната DRAM памет. MRAM паметта консумира около три пъти по-малко енергия, а времето на запис също е десет пъти по-бързо от днешната DRAM памет. Това означава увеличаване производителността на персоналните компютри и мобилните устройства с едновременното увеличаване продължителността на работа с едно зареждане на акумулаторните батерии на смартфоните, таблетите и лаптопите. В режим на готовност с изключени монитор, 3G и WiFi, именно оперативната памет консумира значителна част от енергията. При преход към MRAM, автономното време на работа при мобилните устройства в режим на готовност може да бъде увеличено до стотици часове, съобщава Nikkei.От японска страна в проекта участват Tokyo Electron (трети в света производител на полупроводниково оборудване), Shin-Etsu Chemical (най-големият производител на силициеви пластини, Renesas Electronics (търговия с чипове), а също така и Hitachi. От американска страна в сдружението участва Micron Technology, която е втори в света производител на DRAM памет. Участието на компании от подобен калибър предполага успех на проекта.

MRAM

Върху MRAM паметта се работи от 2006 година, а компанията Everspin Technologies вече продава MRAM памет и е собственик на над 600 патента в тази област. Липсата на единен стандарт спъва масовото производство на тази перспективна памет. Новият алианс смята да реши този проблем, а масовото производство на MRAM памет трябва да започне през 2018 година.