Новини

	Новите контролери на Phison за флаш дискове ще използват буфер от MRAM памет
	Дата на добавяне: 26 Юли 19 / Прегледи: 80 / Цялата новина

	Samsung започва масовото производство на eMRAM памети
	.td_uid_42_5c8238d497cc7_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c8238d497cc7_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Веднага след компанията Intel, за началото на масовото производство и внедряване на магниторезистивната MRAM памет съобщи още ... Дата на добавяне: 08 Март 19 / Прегледи: 127 / Цялата новина

	Intel е готов за масовото производство на MRAM памет
	Интернет изданието EETimes съобщи, че Intel е готов да започне масовото производство на магниторезистивната STT-MRAM оперативна памет (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). За производството на новия тип RAM процесорният гигант... Дата на добавяне: 23 Фев 19 / Прегледи: 130 / Цялата новина

	Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис
	Японските специалисти от университета Тохоку представих първите в света 128 MB чипове памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не превишава 14 наносекунди. Това е р... Дата на добавяне: 09 Ян 19 / Прегледи: 193 / Цялата новина

	Създадени са теоретични логически елементи с контролируемо ниво на хаотичност
	Учените от университета Пардю и калифорнийския Бъркли откриха, че чрез комбинация от няколко обикновени и добре известни компонента е възможно да се получи необичаен логически елемент, с много интересно поведение – неговата логика с точно задад... Дата на добавяне: 15 Дек 17 / Прегледи: 96 / Цялата новина

1 2 >