Samsung и Toshiba планират увеличение на производителността на NAND флаш-паметта
Samsung и Toshiba представиха нова технология NAND флаш-памети, съответстваща на спецификацията DDR2 и притежаваща високоскоростен интерфейс, като минимум два пъти превишава производителността на съществуващите решения. Бъдещите чипове памет ще бъдат произведени по нормите на 30-nm технологичен процес.
Днес като минимум се използва или SDR NAND флаш-памет с интерфейс 40 МВ/s или съответстващата спецификация DDR 1.0 с пропускателна способност на интерфейса до 133 Mbps, но при тези изпълнения се използва архитектурата SDR (Single Data Rate). В новата технология, предложена от Samsung и Toshiba, пропускателната способност на интерфейса е 400 Mbps.
Чиповете флаш-памет от следващо поколение ще могат да бъдат използвани в различни области, където днес се използват традиционните решения: портативна и битова техника, SSD-устройства, комплексни корпоративни решения и т.н. Новата технология предстои да се стандартизира от организацията JEDEC Solid State Technology Association. Тези компании планират да вложат максимум усилия за скорошното внедряване на NAND флаш-чиповете в стандарта DDR2, но датата на комерсиалното внедряване все още не се знае.
