Три години след изработката на първия 64 Mb FeRAM чип заедно с NEC, Toshiba анонсира прототип на Ferroelectric Random Access Memory чип с капацитет от 128 Mb и максимална скорост на четене/запис от 1.6 Gbps.
Новият 130 nm 128 Mb FeRAM чип използва нова архитектура, предлага DDR2 интерфейс, нуждае се от 1.8 V и е показан по време на International Solid-State Circuits Conference 2009 в San Francisco.
Toshiba обещава да продължи разработката на FeRAM чипове, тъй като има намерение да ги използва в мобилни телефони, преносими компютри и SSD дискове.
