Новини

Разработват нов тип по-ефективна DRAM памет

Работейки заедно за доброто на цялата RAM индустрия, Semiconductor Research Corporation (SRC), водещ университетски консорциум за полупроводникови технологии, и изследователи от Yale University, са успели да произведат нов тип DRAM клетка, която тря...
Дата на добавяне: 14 Авг 09 / Прегледи: 167 / Цялата новина

Toshiba с прототип на 128 Mb FeRAM чип

Три години след изработката на първия 64 Mb FeRAM чип заедно с NEC, Toshiba анонсира прототип на Ferroelectric Random Access Memory чип с капацитет от 128 Mb и максимална скорост на четене/запис от 1.6 Gbps. Новият 130 nm 128&nb...
Дата на добавяне: 09 Фев 09 / Прегледи: 221 / Цялата новина