Samsung започва производството на флаш-чипове MLC NAND на базата на технологията Toggle DDR 2.0
Компанията Samsung съобщи, че е първото дружество в състояние да разработи флаш-памет MLC (multi-level-cell) NAND на базата на технологията Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0. Тези нови чипове са с капацитет от 64 GB (8 GB) и ще бъдат произведени по нормите на 20-нанометровия технологичен процес. Въ...
Прочети още →