Новини

	Intel е готов за масовото производство на MRAM памет
	Интернет изданието EETimes съобщи, че Intel е готов да започне масовото производство на магниторезистивната STT-MRAM оперативна памет (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). За производството на новия тип RAM процесорният гигант... Дата на добавяне: 23 Фев 19 / Прегледи: 138 / Цялата новина

	Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис
	Японските специалисти от университета Тохоку представих първите в света 128 MB чипове памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не превишава 14 наносекунди. Това е р... Дата на добавяне: 09 Ян 19 / Прегледи: 201 / Цялата новина

	Antec представи полуотворената компютърна кутия Torque
	Калифорнийският производител Antec започва доставките на корпуса Torque с полуотворен дизайн. Новата компютърна кутия има агресивен външен вид. Шасито е направено от алуминиева сплав, а страничните панели са от 4 милиметрово закалено стъкло. Заден па... Дата на добавяне: 08 Окт 18 / Прегледи: 92 / Цялата новина

	AMD отвори сорс кода на V-EZ – средата на кросплатформения Vulkan API от най-ниско ниво
	Vulkan API е пакет от кросплатформени програмни интерфейси от най-ниско ниво, които осигуряват много по-висока производителност на 3D графиката. Това се постига чрез значителното намаляване на задръжките в сравнение с другите API от типа на OpenGL, о... Дата на добавяне: 28 Авг 18 / Прегледи: 160 / Цялата новина

	IBM и Samsung създадоха 11 нанометровата памет STT MRAM
	IBM отбеляза 20 години от създаването на енергийно независимата магниторезистивната памет с произволен достъп (MRAM). Всичко започна с управлението на единична клетка с помощта на електромагнитно поле, като тази технология сега бе значително усъвърше... Дата на добавяне: 08 Юли 16 / Прегледи: 174 / Цялата новина

1 2 >