Samsung и Toshiba планират увеличение на производителността на NAND флаш-паметта
Samsung и Toshiba представиха нова технология NAND флаш-памети, съответстваща на спецификацията DDR2 и притежаваща високоскоростен интерфейс, като минимум два пъти превишава производителността на съществуващите решения. Бъдещите чипове памет ще бъдат произведени по нормите на 30-nm технологичен про...
Прочети още →