Кухни по поръчка | Съвети за мода и красота | Ваучери за намаления

Резултати за: DRAM - страница 36

Нова спецификация удвоява скоростта на трансфер на SSD

Работната група за флаш памети обяви нова спецификация на интерфейс, която би могла да ускори трансфера на данни от флаш продукти, като напр. SSD в компютрите и потребителската електроника. Работната група за Open NAND Flash Interface (ONFI) представи спецификацията за контролер ONFI 3.0, позволяв...

Прочети още →

Samsung планира 20nm технология и 4GB мобилна DRAM за таблети и смартфони

Мобилна DRAM с 4GB капацитет, използваща 20nm технология и широк интерфейс за трансфер на данни е целта на Samsung за 2013-та. Към момента обаче от фирмата обявиха, че са произвеждат 1GB мобилна DRAM с широк интерфейс, използваща 50nm технология. Разработена за смартфони и таблети, за нея от Samsu...

Прочети още →

OCZ излиза от пазара на RAM памети

Компанията OCZ Technology Group обяви резултатите от третото тримесечие на 2010 финансова година, приключила на 30 ноември. Нетната печалба за периода възлиза на $53,2 милиона, което е рекордна сума за OCZ. Това е близо 40%-но увеличение в сравнение с предходното тримесечие и спрямо същия период на...

Прочети още →

Samsung разработи първата в света памет от стандарт DDR4

Компанията Samsung съобщи, че е завършила разработването на първия в света DRAM модул на памет от стандарт DDR4. Нека да отбележим, че разработката е завършена през последния месец, но едва сега се проведе официалният анонс. Разработеният модул на памет използва чипове, които са произведени по нор...

Прочети още →

Hynix пуска 30-nm DRAM DDR3 чипове памет

Корейската компания Hynix Semiconductors, вторият по големина в света производител на чипове, обяви разработването на нови видове графична памет, създадена по нормите на 30-нанометровата технология. От Hynix се надяват, че новите модули ще предизвикат интерес сред производителите и те ще започнат ...

Прочети още →
Първа < 10 < 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 > > 10 Последна