UCL създаде първия ReRAM чип от силициев окис
Новата памет е около сто пъти по-бърза и консумира хилядна от енергията на флаш паметите Изследователски екип от Университетския колеж в Лондон (UCL) е разработил първия чип с резистивна памет с произволен достъп (ReRAM), изцяло на базата на силициев окис, който работи без необходимост от специални ...
Прочети още →