Учени патентоваха памет, която комбинира предимствата на DRAM и SSD

.td_uid_42_5d0deb714a163_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5d0deb714a163_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}

Учени от Университета в Ланкастър са патентовали ново устройство с електронна памет в САЩ. То може „да реши енергийната криза в дигиталните технологии“, предават от Science Daily. Паметта е наречена „Universal Memory” и комбинира предимствата на DRAM и SSD паметите като за сега успява да се пребори с традиционните недостатъци в този подход.

Голямото предимство на паметта е, че ако се използва от дата центрове например, тя може да свали разхода на енергия с една пета, твърдят авторите.

Специфични детайли за технологията, която ще стигне до потребителя, все още не са налични. Става ясно, че е използвана квантова механика в процеса на работа.

Можете да научите повече за научната част на проекта от публикацията на екипа в журнала Nature.

.td_uid_41_5d0deb7149ccb_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5d0deb7149ccb_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}

DRAM паметта е много бърза и икономична, но информацията на нея е уязвима и трябва да бъде опреснявана постоянно, за да се избегне загуба. Флаш паметта предоставя по-висока сигурност на информацията. За сметка на това има по-бавна скорост, по-голяма консумация на ток и по-бърза амортизация.

Професорът по физика Манус Хейне от университета разказва:

„Нашето устройство предлага наистина дълъг живот, може да записва и трие информация използвайки десетки пъти по-малко енергия от DRAM.”

Universal Memory може да се опита да завземе пазара на DRAM, който е на стойност от 100 милиарда долара, както и пазара на flash памет. Може ли това да е старт на нова ера в съхранението на информация?

Все пак не трябва да взимаме всичко това за чиста монета. Поне не преди да видим повече подробности, тестове в реална среда и готов комерсиален продукт. От университета легитимират потенциала на идеята с желанието за сътрудничество на редица компании, част от които вече са част от работния процес в Ланкастър.