 .td_uid_3_5cb723796bd90_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_3_5cb723796bd90_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Южнокорейската компания Samsung приключи разработването на своя 5 нанометров FinFET технологичен процес. Съвсем скоро процесорите, създадени чрез технологията за фотолитография в дълбокия ултравиолетов спектър (EUV), ще започнат да се доставят на клиентите. В сравнение със 7 нанометровия технологичен процес, използването на EUV осигурява 25% по-висока ефективност на пространството с логическите елементи. Производителността е нараснала с 10%, а консумацията на електрическа енергия при едно и също бързодействие е намаляла с 20%. Това е постигнато главно чрез подобряване архитектурата на стандартните логически елементи. Другото ключово преимущество на новия 5 nm процес е, че могат да се използват производствените мощности от 7 nm процес. Ето защо преходът от 7 към 5 nm няма да бъде толкова скъп и сложен, както обикновено става с миграцията към нов технологичен процес, EUV. .td_uid_2_5cb723796bb39_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_2_5cb723796bb39_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0} Компанията планира да започне комерсиализацията на новата технология през следващата година. А за тези година компанията обещава масови чипове, произведени чрез 6 нанометров технологичен процес. Главната особеност на фотолитография с дълбок ултравиолетов спектър е, че се използва по-малка дължина на вълната – 13,5 nm, за разлика от другите технологии, в които се използват лазери с дължина на вълната 193 или 248 nm. По този начин значително се повишава енергията на фотоните и се създават по-компактни чипове. Samsung още през месец септември миналата година обяви готовността си за преминаване към 7 нанометров технологичен процес чрез EUV. Сега усъвършенства технологиите си. |
