Samsung представи първите DDR4 памети произведени чрез 10 nm процес от 3-то поколение

Компанията Samsung заяви, че е първата, която е започнала производството на Double Data Rate 4 (DDR4) чипове оперативна памет с капаците 8 Gb чрез 10 нанометров технологичен процес от трето поколение. Специално се подчертава, че са изминали едва 16 месеца от началото на производството на същите чипове, но чрез 10 нанометров технологичен процес от второ поколение.

Благодарение на новата технология, ефективността на производството е увеличена с 20% в сравнение с технологията от предишното поколение. Samsung е предоставила на партньорите си малки партиди от новите чипове памет. След тестовете на новите 8 Gb модули, Samsung започва масовото производство на новите памети, които според производителя, няма да са скъпи. По-конкретно, плановете са масовото производство на DDR4 оперативна памет с капацитет 8 Gb чрез 10 нанометров технологичен процес от трето поколение трябва да започне през втората половина на тази година. В високопроизводителните сървъри и персонални компютри, използващи новата памет, трябва да излязат на пазара още в началото на 2020 година.

Samsung съобщи още, че в съответствие с нарасналото търсене на подобни памети, компанията възнамерява да увеличи поточните линии и производството в своите заводи, разположени в Пионгтек.

Да си припомним, че в началото на месеца Samsung обяви, че започва масовото производство на eMRAM памети. За производството на eMRAM чиповете се използва 28 нанометров технологичен процес по технологията FD-SOI Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (изцяло обеднен силиций върху изолатор).