.td_uid_42_5c8238d497cc7_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_42_5c8238d497cc7_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Веднага след компанията Intel, за началото на масовото производство и внедряване на магниторезистивната MRAM памет съобщи още един технологичен гигант – Samsung Electronics. Южнокорейската компания ще произвежда eMRAM чипове за вградените системи, микроконтролерите, устройствата за концепцията „интернет на нещата“ и за компютърните системи с елементи на изкуствен интелект.
За производството на eMRAM чиповете се използва 28 нанометров технологичен процес по технологията FD-SOI Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (изцяло обеднен силиций върху изолатор). Тази технология силно намалява паразитните токове и повишава енергийната ефективност. eMRAM паметта трябва да замени използваната досега eFlash памет и да донесе редица преимущества.
Така например, eMRAM не изисква допълнителен цикъл на изтриване преди записа на данни и това е причината скоростта на запис на информация да е над хиляда пъти по-висока в сравнение с eFlash. Не се изисква и периодична регенерация на записаните данни. Консумацията на електрическа енергия в режим на запис е едва 1/4000 от консумацията на eNAND паметите. Магниторезистивната памет осигурява висока мащабируемост и лесно може да бъде интегрирана в сега съществуващите устройства и технологии.
.td_uid_41_5c8238d4966d0_rand.td-a-rec-img{text-align:left}.td_uid_41_5c8238d4966d0_rand.td-a-rec-img img{margin:0 auto 0 0}Церемонията, посветена на началото на доставките на eMRAM чипове се състоя в един от производствено изследователските комплекси на Samsung в Южна Корея. Компанията заяви, че след една година ще предложи на пазара eMRAM чипове с капацитет до 1 гигабит.