IBM и партньори разработиха работещ 22 nm чип

IBM, AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering гордо анонсираха, че са успели да направят работещ 22 nm SRAM (static random access memory) чип. Произведен в лабораториите на IBM в Олбани, Ню Йорк, SRAM притежава 6-слоен дизайн.

"Работим на ръба на възможностите и преминаваме към следващото поколение технологии за полу-проводници. Тази нова разработка е голямо постижение в микроелектрониката," споделя д-р Т. К. Чен, вице-президент към IBM Research.

Преди да преминем към 22 nm производствен процес, трябва първо да минем през 32 nm. Затова най-вероятно новата технология ще придобие популярност следващата година.