IBM и партньори разработиха работещ 22 nm чип


IBM, AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering гордо анонсираха, че са успели да направят работещ 22 nm SRAM (static random access memory) чип. Произведен в лабораториите на IBM в Олбани, Ню Йорк, SRAM притежава 6-транзисторен дизайн.

"Работим на ръба на възможностите и преминаваме към следващото поколение технологии за полу-проводници. Тази нова разработка е голямо постижение в микроелектрониката," споделя Dr. T.C. Chen, вице-президент към IBM Research.

Преди да преминем към 22 nm производствен процес, трябва първо да минем през 32 nm. Затова най-вероятно новата технология ще придобие популярност следващата година.
Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 314
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на19 Авг 2008
ИзточникKaldata

Тагове
random, access, memory, static, freescale, stmicroelectronics, toshiba, sram, science