Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис

 128 MB  STT-MRAM

Японските специалисти от университета Тохоку представих първите в света 128 MB чипове памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не превишава 14 наносекунди. Това е рекордно кратко време и новите чипове могат да бъдат използвани като кеш памет, в устройствата с елементи на изкуствен интелект и други подобни.

STT-MRAM не само е рекордно бърза, но и консумира малко енергия. Тя е енергонезависима и подобно на флаш паметта, запазва информацията след спиране на захранването.

През изминалата 2018 година само три завода в света започнаха производството на STT-MRAM памет. За съжаление, капацитетът на тези чипове засега е в пределите на 8-40 MB, което е малко за съвременната компютърна техника.

Но изследователите от CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) успяха да да интегрират на един и същ кристал масив STT-MRAM памет с общ капацитет 128 MB. Това е постигнато чрез миниатюризация на клетките памет с използването на магнитен тунелен преход (magnetic tunnel junction, MTJ) в стандартните CMOS технологии.

Времето на запис на новите чипове не превишава 14 наносекунди при захранващо напрежение 1,2 V.

Същата група специалисти работи и върху адаптирането на новата технология към днешното масово производство на памети. Това означава, че новата STT-MRAM памет трябва да излезе на пазара до края на тази година.

Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 2
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на09 Ян 2019
ИзточникKaldata

Тагове
STTMRAM
Ние във фейсбук