Ключовите характеристики на SoC Snapdragon 8150 – чипът за флагманските смартфони през 2019 година

В началото на месец декември тази година Qualcomm трябва да представи нова система-върху-чипа за смартфони и таблети. Това е Snapdragon 8150, а сега популярният блогър Ice Universe разкри някои ключови параметри на този чип.

Според тази информация, Snapdragon 8150 ще има три клъстъра, включващи общо 8 процесорни ядра:

Първи клъстър: 3 процесорни ядра Kryo Gold с 256 KB кеш памет от второ ниво. Максимална честота 2,419 GHzВтори клъстър: високопроизводителното ядро Kryo Gole Prim с 512 KB кеш памет от второ ниво. Максимална тактова честота 2,842 GHzТрети клъстър: 4 икономични процесорни ядра Kryo Gole със 128 KB кеш от второ ниво за всяко ядро

Според Qualcomm, използването на три клъстъра в чипа ще осигури икономия на енергията, когато смартфонът е в режим на готовност или е натоварен съвсем слабо. Трите процесорни ядра ще осигурят ефективна работа при използване на обикновените приложения, а бързият клъстър ще даде силен ръст на производителността при игрите или когато е необходимо.

Очаква се Qualcomm да представи Snapdragon 8150 на 4-ти декември тази година на специално организираното за тази цел събитие.

В бенчмарковете AnTuTu и Geekbench вече започнаха да се появяват тестове на прототипи с новата SoC, в които производителността е по-висока от тази на новите топ-модели на Apple.