 Китайската компания Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) представи в началото на седмицата първата информация за подготвяната от нея многослойна 3D NAND памет с име Xtacking. Технологията включва производството на чипове флаш памет с използването на две полупроводникови пластини. Едната пластина съдържа физическите 3D NAND клетки, а втората пластина включва CMOS логиката. Досега за производството на NAND флаш памети традиционно се използваше масив памет и управляваща логика (декодиране на адресите, буфериране на страниците и т.н.) разположени на една и съща пластина. Сега YMTC предлага NAND масивът и логиката да бъдат на отделни пластини, в които се използва различен технологичен процес. Обединението се осъществява чрез милионите токопроводящи VIA (Vertical Interconnect Accesses) отверстия. Подобна технология използва TSMC. 
В обикновената архитектура на NAND флаш паметта, периферните схеми заемат около 20-30% от площта на чипа. При производството на 128-слойни чипове периферните схеми ще заемат над 50% от полезния обем. Новата памет на Xtacking премахва този недостатък. Освен това, по този начин значително ще нарасне скоростта за обмен на данните. Очаква се до 3 Gb/s на чип. Най-бързата към днешен ден Samsung 3D V-NAND флаш памет достига 1,4 Gb/s. |
