 Bloomberg съобщи, че миналия петък Федералният съд на Тексас е признал компанията Samsung за виновна в нарушение на патенти, свързани с FinFET технологията. Южнокорейската компания е глобена с $400 милиона.Южнокорейският институт Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) обвини компанията Samsung в „умишлено и незаконно“ използване на специализирани решения от FinFET технологията. Изслушването става в американски съд, понеже с въпросите за защита на интелектуалната собственост на KAIST се занимава регистрираният в САЩ отдел KAIST IP US. Централният офис се намира в Далас, а този щат се смята за особено благосклонен за притежателите на различни патентни права. 
Глобата от $400 милиона е едва началната сума. Ако съдът сметне, че Samsung нарочно е използвал интелектуалната собственост без да плаща, глобата може да бъде утроена. KAIST заяви, че първоначално Samsung се е отказал от провеждане на изследвания в сферата на FinFET, считайки тази технология за безперспективна. Но след като Intel е започнал да лицензира свои изобретения в тази област, ситуацията се е променила. Samsung въобще не се съгласи с тези доводи. Компанията каза, че непрекъснато е помагала на института да развива тази технология и че възнамерява да обжалва. |
