|
Компанията Micron Technology съвместно с Intel обявиха началото на доставките на първата в отрасъла флаш-памет от типа QLC NAND. Тази памет може да съхранява в клетка до 4 бита информация, а QLC NAND кристалите са получили 64-слойна структура и плътност от 1 ТВ. Също така компаниите обявиха достиженията си в областта на разработването на триизмерна NAND структура от трето поколение. Тя се състои от 96 слоя и дава възможност за увеличаване на плътността за съхранение на данните в единица площ на кристала. Отбелязва се също, че и в двата случая се използва CuA технологичен процес (CMOS under the array), който позволява намаляване на размерите на кристала и повишаване на производителността в сравнение с аналозите. От Intel уточняват, че QLC NAND паметта е подходяща за изчислителни натоварвания с интензивно четене. Също така, тя ще намери приложение в клиентските устройства с високо натоварване. |
|
