Българският ИТ портал
Потребителско име
Парола
Регистрация
Нова парола
Изпрати SMS | Новини | Онлайн превод
  SoftVisia

Applied Material: след 3 години 3D NAND паметта ще има над 140 слоя клетки

Applied Material:  3  3D NAND     140

Към днешен ден, най-съвършената серийно произвеждана NAND флаш памет е с 64 слойна структура. Единствено SK Hynix прави 72-слойни чипове 3D NAND флаш чипове.

По време на конференцията International Memory Workshop 2018 (IMW), специалистите на Applied Material отбелязаха бъдещите перспективи на пазара на флаш паметите.

Applied Material:  3  3D NAND     140

В края на тази година се очаква да започне серийното производство на 96-слойни чипове. Това ще бъдат два 48-слойни кристала, обединени в единен стек. Дебелината на слоя ще намалее до 55 nm, вместо сегашните 60 nm. Дебелината на самия кристал ще се увеличи от 4,5 на 5,5 микрона. Очаква се появата на флаш чипове с капацитет 512 GB. Цената теоретично ще пада.

#td_uid_42_5afc5f1079e39 .td-doubleSlider-2 .td-item1{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/21-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39 .td-doubleSlider-2 .td-item2{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/22-2.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39 .td-doubleSlider-2 .td-item3{background:url(https://i1.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/23-1.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}#td_uid_42_5afc5f1079e39 .td-doubleSlider-2 .td-item4{background:url(https://i0.wp.com/www.kaldata.com/wp-content/uploads/2018/05/24.jpg?resize=80%2C60&ssl=1) 0 0 no-repeat}1 от 4 Applied Material:  3  3D NAND     140  Applied Material:  3  3D NAND     140  Applied Material:  3  3D NAND     140  Applied Material:  3  3D NAND     140

Още по-впечатляващи са прогнозите на Applied Material за 2021 година – само след 3 години. Тогава трябва да излязат 3D NAND памети с над 140 слоя. Плътността на клетките памет ще се увеличи и съответно, ще се увеличи капацитетът на дисковете. За създаването на подобна памет ще са необходими съществени промени. Предвижда се използването на CUA (CMOS Under Array) технологията и ще бъде използвана нова структура на гейтовете. Ще се премине към използването на нови полупроводникови материали.

Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 4
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на16 Май 2018
ИзточникKaldata

Тагове
NAND, Applied, Material
Ние във фейсбук