TSMC предлага слепването на силициевите пластини с помощта на технологията Wafer-on-Wafer

Тайванският полупроводников гигант TSMC съобщи за нова технология, която може да удвои броя на транзисторите в графичните и централните процесори.

Проектът носи името Wafer-on-Wafer Technology и предвижда съединяването на два чипа, поставени на различни силициеви пластини.

TSMC          Wafer-on-Wafer

Новият метод има редица преимущества в сравнение с използваните днес начини за свързване на полупроводниковите кристали. Сега се използва междинен слой (interposer), докато технологията на TSMC дава възможност за директното слепване на две пластини. По този начин се постигат минимални задръжки при обмена на информация между тях. За извеждането на контактните площадки от този „сандвич“ще се използват вертикални електрически връзки (TSV, through-silicon via).

Важно е, че новата технология се нарича Wafer-on-Wafer, а не Die-on-Die. С други думи, предвижда се слепването силициевите пластини, а не отделните чипове. Тази особеност усложнява производството на чиповете с помощта на сега съществуващото оборудване. Друг потенциален проблем е ръстът на отделяната топлина и навярно технологията Wafer-on-Wafer първоначално ще се използва при производството на маломощни чипове.

Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 85
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на03 Май 2018
ИзточникKaldata

Тагове
TSMC, WaferonWafer