 Samsung обяви, че започва масовото производство на първите чипове DDR4 DRAM оперативна памет с капацитет 8 Gb чрез 10 нанометров технологичен процес.Новите чипове могат да се използват в почти всички съвременни компютърни устройства. Производителят подчерта, че новите DDR4 DRAM чипове с капацитет 8 Gb са с най-висока производителност и енергийна ефективност на пазара. Освен това, те са и с най-малки размери. DDR4 DRAM чиповете памет се произвеждат чрез 10 нанометров технологичен процес от второ поколение, като тяхната ефективност на производството е с 30% по-добра в сравнение с предишното поколение на технологията. Новата памет е с около 10% по-бърза и е с 15% по-енергийно ефективна. Това е постигнато и чрез използване на подобрена технология за проектиране на логическите схеми. Анонсираните чипове осигуряват пропускателна способност 3600 Mb/s на линия, докато аналогичните чипове от първо поколение имат скорост за обмен на данните около 3200 Mb/s на линия. Samsung съобщи, че е приключил с тестовете за съвместимост на новите чипове памет с различните процесори и излизането на новата DDR4 DRAM памет на пазара ще стане съвсем скоро. Samsung обеща не само да представи новата памет на пазара, но и да разшири производството на чиповете от първото поколение, за да удовлетвори нейното голямо търсене. |
