|
Отдавна се водят изследвания за създаване на технология за масово производство на памет, в която се използва фазовото състояние на веществото (phase-change memory, PCM), но засега подобни чипове не се продават и в компютрите масово се използват DRAM и NAND памети. Но това е на път да се промени, понеже учените от IBM Research демонстрираха надежден запис на три бита данни в една PCM клетка памет. Възможността за запис на три бита информация в една клетка повишава плътността на записа и по този начин се понижава цената на запомнящите устройства. 
В PCM паметта, на първото логическо ниво съответства аморфното състояние на веществото, а на второто и третото логически нива съответства кристалното състояние с ниска и висока проводимост. PCM паметта е енергийно независима и запазва информацията при липса на захранване. Новата памет е много по-добра от флаш-паметта с високото си бързодействие и дългото време на работа. IBM Research съобщи, че тяхната PCM памет издържа не по-малко от 10 милиона презаписа на информацията, докато стандартната флаш-памет в SSD издържа около 3000 презаписа. 
IBM допълни, че PCM паметта може да се използва както самостоятелно, така и като хибридна конфигурация с флаш-паметите, когато ще се използва като скоростен буфер за данни. |
|
