|
Преди 6 години HP съобщи за създаването на четвъртия електронен пасивен елемент - митичният мемристор, който може да променя съпротивлението си в зависимост от протичащия ток и да запазва достигнатото състояние без необходимост от подаване на енергия. HP предложи създаването на енергонезависима памет от мемристори, с бързодействие близко до оперативната памет на компютрите, които биха се включвали и изключвали мигновено. Тази резистивна памет бе наречена RRAM или ReRAM и досега не можеше да се организира нейното масово производство. 
Китайският производител на полупроводници Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) съобщи, че започва масовото производство на RRAM памет във вид на чипове или като вграден модул в процесорите. Производството на RRAM памет е адаптирано към 40 нанометров технологичен процес, който преди години бе създаден заедно със специалистите на IBM. 
Технологията за производство на RRAM клетките памет е лицензирано от американската компания Crossbar, която бе създадена през 2010 година, когато HP завърши работата върху мемристора. Принципът на работа на мемристора на HP се базира на използването на кислородни атоми, а Crossbar използват създаване на провеждащи тока нишки от сребърни йони в аморфен силиций. Резултатът е еднакъв. 
|
|
