Samsung Exynos 7 Octa 7870: първият чип от среден клас с 14 нанометров технологичен процес

Samsung официално представи системата-върху-чипа Exynos 7 Octa 7870, която се произвежда чрез най-съвременния 14 нанометров FinFET технологичен процес на компанията и е предназначен за следващото поколение смартфони и таблети от среден клас. Досега чипове с 14 нанометров технологичен процес можеха да се видят само в топ-смартфоните и таблетите от най-високия ценови сегмент, но очевидно с излизането на Exynos 7 Octa 7870 това ще се промени.

 

Exynos 7 Octa 7870 разполага с осем Cortex-A53 ядра, работещи с тактова честота до 1,6 GHz. Чипът има интегриран LTE Cat.6 2CA модем, осигуряващ обмен на информацията със скорост 300 Mb/s. Поддържат се дисплеи с резолюция до WUXGA включително (1900х1200 пиксела), камери с разделителна способност до 16 мегапиксела; възможно е възпроизвеждането на Full HD видео с кадрова честота 60 кадъра в секунда.

Най-важната особеност на новата системата-върху-чипа е намалената с 30% консумация на електрическа енергия при същата производителност, като чиповете, произведени чрез 28 нанометровата технология High-k Metal Gate.

Масовото производство на новите чипове започва тази пролет, а първите смартфони и таблети с Exynos 7 Octa 7870 се очаква да се появят през есента на тази година.