Samsung започна масовото производство на бърза HBM2 памет за новите видеокарти на NVIDIA и AMD

Новата модулна HBM2 памет има рекорда скорост на обмен на данните - от порядъка на 256 Gb/s (гигабайта в секунда), която около 7 пъти превъзхожда предлаганата към днешен ден DDR5 оперативна памет.

Samsung сподели, че новите чипове памет се произвеждат чрез 20-нанометров технологичен процес и първоначално ще се използват в мощните сървъри в новите видеокарти на NVIDIA и AMD, като съществено ще повишат производителността на графичните карти от следващо поколение.

В момента се произвеждат 4 GB модули памет, в които се използват 4 кристала с обем 8 Gb всеки. В края на тази година корейският производител на чипове ще започне производството на 8 GB HBM2 памети с 8 чипа в един модул.

Samsung специално подчерта, че използването на новите памети във видеокартите ще осигури допълнителна гъвкавост в дизайна на печатните платки и около 95% плътност на компонентите върху тях. Това означава, че NVIDIA и AMD ще могат да проектират и създават нови много бързи видеокарти с по-малки размери и по-ниска консумация.