При традиционната памет се използва изместване на електроните чрез използване на електрическо напрежение, но този модел е почти на предела на изчерпване от гледна точка на бъдещо развитие. Ето защо научните кръгова активно търсят универсално решение, при което да има минимално преместване на електрони.
Специалистите на тези два германски университета създават устройства, които работят чрез електрическо съпротивление. Те са разработили сложен Nb/Al/Al2O3/NbxOy/Au компонент, показан на илюстрацията. При прилагане на напрежение към тази клетка памет, нейното съпротивление се променя.
Новият елемент включва два метални електрода, разделени чрез така наречения "твърд йонен проводник" (solid ion conductor). Компонентите на тези елементи са лесни и евтини за производство, а техните размери могат да бъдат намалени на практика до размера на атомите.