Тествани са три варианта на производство - използване единствено на 193 нанометров скенер, използване само на скенер с твърдо ултравиолетово излъчване (EUV) с дължина на вълната 13,5 нанометра и комбинирано използване на двата скенера.
При използването само на 193 нанометров скенер, за производството на транзистори с 5 нанометров гейт са необходими четири фото-шаблона за всеки метален слой на процесора и три фото-шаблона за отверстията в метализацията. Този метод се оказал неизгоден поради твърде голямото количество брак.
При използването само на EUV скенер са достатъчни само по един фото-шаблон за метализацията и отверстията, но засега няма толкова мощни скенери, които да достигат скорост от 4000 броя 300 милиметрови пластини в денонощие. Подобни скенери се очаква да се появят през 2020 година.
Най-рентабилен се оказва методът с комбинирано използване на двата скенера, като тук се използва експериментален EUV скенер.
За проектиране на процесорите е използвана системата Innovus Implementation System с масова паралелна работа и най-нови методи за оптимизация.