IDF 2015: Samsung ще започне производството на HBM памет в началото на 2016 година

Потенциалът на HBM паметта е огромен и я очаква голямо бъдеще. Още първият вариант демонстрира пропускателна способност на ниво 512 GB/s. Samsung съобщи, че ще представи соите първи продукти базирани на тази нова технология още през първото тримесечие на 2016 година. Компанията няма да се ограничи само с производството на памет за графични решения и възнамерява да откъсне дял от пазара на високопроизводителните изчисления (HPC).

Вече е подготвено производството на няколко конфигурации HBM памет, базирани на 8 Gb компоненти, започвайки от 2-Hi чипове от начално ниво за графични карти с 2 GB памет (256 GB/s) и 4-Hi за по-бърза дискретна графика (512 GB/s). За HPC пазара са предвидени 4-Hi комплекти (четири чипа, 32 GB, 1 TB/s) и 8-Hi (шест чипа, 24/48 GB, 1,5 TB/s).

От HBM паметта изключително активно се интересува и NVIDIA, която смята да я използва в архитектурата Pascal. Samsung навярно ще избегне възникването на дефицит за HBM чипове.