|
Японските специалисти от Националния институт AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) създадоха транзистори от нов тип, които са меки, еластични и издържат силни механични въздействия. Новите транзистори са направени предимно от гума, силициев гел и еластична пластмаса и без проблеми издържат на големи механични натоварвания, както и потапяне във вода. Новите транзистори ще се използват за вграждане на разнообразни сензори в дрехите, на пода на производствените и офисните помещения. 
Транзисторите се произвеждат чрез формиране електродите на гейта, сорса и дрейна в гума, съдържаща силиций, дебелината на която не превишава 1х1 милиметра, а дължината и ширината на канала на полевия транзистор са съответно 700 и 50 микрометра. 
За формиране на всеки електрод се използва композитен материал, проводимостта на който е увеличена с помощта на въглеродни нанотръби. Диелектричният слой, отделящ гейта от канала е направен от полимерен материал, съдържащ йонна течност. 
Схемите, реализирани чрез гумени транзистори продължават да функционират дори и когато са сгънати под остър ъгъл. Това позволява създаването на подобни схеми в най-сложни условия - върху дрехи, на стените и подовете на помещенията, в промишленото оборудване и върху пътищата. |
|
