|
Японският Национален институт за съвременни технологии AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) представи първите образци на топологичната памет TRAM (topological-switching RAM) от нов тип, базирана на фазови преходи в кристали от сложни химически съединения. 
Използва се кристалната решетка на сплавта GeTe/Sb2Te3, а първите образци демонстрираха изключително високи резултати на енергийна ефективност. Новата технология може да се използва за създаване на нови SSD дискове с изключително ниска консумация на електрическа енергия.
Паметта, базирана на фазови преходи работи чрез преминаване клетките на паметта от кристално в аморфно състояние и обратно под въздействието на електрически ток с точно определени параметри. В TRAM паметта се използва физическото преместване на атомите на германиевите атоми на съвсем малко разстояние.За нормалната работа на новата TRAM памет е необходимо напрежение от 0,7 волта и ток 55 микроампера. Скоростта на новите памети почти 100 пъти превишава скоростта на най-добрите NAND flash памети, а един TRM чип по обем и производителност може да замени 64 чипа стандартна флаш памет. |
|
