Intel и Micron разработват 3D NAND памет с 32 слоя

Корпорацията Intel, съвместно с Micron още следващата година ще анонсира собствени 3D NAND чипове флаш-памет. Производителите подчертават, че са постихнали двойно по-голяма плътност спрямо конкурентните продукти.По време на конференция с инвеститори, Роб Крук - вицепрезидент на Intel и ръководител на групата  Non-Volatile Memory Solutions Group заяви, че новите чипове ще съдържат 32 слоя, като техният информационен обем е 256 Gb или 32 GB на един MLC кристал. Това съвсем не е предел за тази технология: 3D NAND може да предложи три бита на една клетка, като с помощта на този подход е възможно достигането на 384 Gb информационен обем или 48 GB за един единствен чип. Вицепрезидентът на Intel спомена още, че с помощта на тази памет само след две години ще се появят SSD дискове с обем от 10 TB.

Не бяха съобщени технически детайли на използвания технологичен процес при производството на новата памет. Intel и Micron (IM Flash Technologies) планират да започнат масовото производство на новата многослойна (multi-level cell, MLC) флаш-шамет през втората половина на 2015 година.Samsung вече продава SSD дискове с памет, съставена от 32 слоя, но с по-малък информационен обем, като през 2015 година възнамерява да усвои производството на флаш-памет с 48 слоя.