Samsung започва серийното производство на DDR4 памет, базирана на технологията 3D TSV

	Samsung започва серийното производство на DDR4 памет, базирана на технологията 3D TSV
	Samsung Electronics официално обяви, че започва серийното производство на първата в света RDIMM оперативна DDR4 памет с информационен обем 64 GB. Новите модули са съставени от 32 чипа DDR4 DRAM, всеки от които се състои от четири DDR4 DRAM кристала с обем 4 Gb. Чиповете са характерни с ниската си консумация на електрическа енергия е се произвеждат чрез съвременен 20 нанометров технологичен процес. Обединяването на чиповете в общ стек става с помощта на най-новия метод за цялостно съединяване на кристалите TSV (Through Silicon Via), като по този начин е постигната много голяма плътност на модулите. За създаване на един 3D TSV DRAM пакет, DDR4 кристалите се източват до няколко десетки микрона, след което в тях се пробиват стотици миниатюрни отверстия. Кристалите се съединяват вертикално в слоеве един над друг чрез електроди, които преминават през тези отверстия. Благодарение на този метод, новите 3D TSV модули имат двойно по-висока производителност и два пъти по-малка консумация на електрическа енергия, в сравнение с другите DDR4 чипове.През 2015 година Samsung възнамерява да свърже в едно повече от четири DDR4 кристала чрез 3D TSV технологията, за да създава DRAM модули с още по-висока плътност.

	Коментари
	Все още няма коментари