Компанията Samsung Semiconductor представи в началото на тази седмица ново поколение на своята технология V-NAND с вертикално разположение на флаш-паметта, която понижава цената и консумираната електрическа енергия на бъдещите флаш-дискове. Това е първата 3-битова (TLC) памет, изготвена по стандарта 3D V-NAND, която се произвежда чрез 32 нанометров технологичен процес. Доставките на първите SSD запомнящи устройства, базирани на тази технология, според вицепрезидента на Samsung Semiconductor Боб Бренън, трябва да започнат още в края на тази година. Информационният обем на новите чипове достига внушителните 2 TB.
Методът използва вертикално разположени слоеве, чрез което се постига много голяма плътност на данните в един чип. Увеличението на информационната плътност в традиционните планарни чипове става все по-скъпо и трудно от техническа гледна точка, понеже при близко разположените клетки памет се увеличава броят на грешките.Миналата година Samsung представи V-NAND памет с 24 слоя, а тази година бе анонсирана модификация с 32 слоя. Новата SSD серия 850 Pro е базирана на тези чипове, а южнокорейският производител е дотолкова убеден в нейната надеждност, че дава 10 годишна гаранция.Samsung работи по създаване на памет с 90-100 слоя, като акцентът е поставен предимно на информационния обем, а не на бързодействието.
