|
SK hynix анонсираха първия в света DDR4 модул памет с обем 128 гигабайта, който е двойно по-голям от досега произвежданите модули. Паметта е предназначена преди всичко за сървърни компютърни системи. 
Новата оперативна памет се състои от 8 гигабитни DDR4 чипове, произведени чрез 20 нанометров технологичен процес с използване на технологията за съединения между слоевете (Through-Silicon Via, TSV). Модулът работи с напрежение 1,2 V, докато при DDR3 се използва напрежение от 1,35 V.Максималната работна честота на тази оперативна памет е 2133 MHz и чрез 64-битовата шина се осигурява максимална скорост на обмен на данните от порядъка на 17 GB/s.
Серийното производство на тази оперативна памет трябва да започне през втората половина на 2015 година. С разработка на перспективната DDR4 памет усилено се занимават Samsung и Crucial. Технологично DDR4 паметта е около два пъти по-бърза от DDR3 и консумира с 20-30% по-малко електрическа енергия, изисква по-ниско захранващо напрежение и позволява побирането на повече чипове памет в един модул. Сървърни процесори с пълната поддръжка на тази памет се очаква да се появят в края на тази година, а при персоналните компютри през 2015 година. |
|
