 |
Samsung създаде DRAM за мобилни устройства с плътност 8 гигабита |
 |
|
Компанията Samsung Electronics Co., Ltd. обяви, че е разработила първия в компютърната индустрия чип за мобилна LPDDR4 DRAM памет с обем 8 гигабита, който е характерен с ниска консумация на електрическа енергия, рекордна за този клас памети плътност и висока производителност. 
Създадената нова мобилна DRAM памет е изготвена чрез 20 нанометров технологичен процес, при който върху един кристал се побира 1 гигабайт оперативна памет. Чипът с фирмения интерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) за вход/изход е характерен с високата скорост на обмен на информация на един извод, достигаща 3200 Mb/s. Това е два пъти повече от стандартните 20 нанометрови LPDDR3 DRAM чипове, като едновременно с това, новите чипове консумират до 40% по-малко енергия.Използваната от Samsung технология позволява обединяването на четири 8 гигабитови кристала в един корпус. Според производителя, модулите оперативна памет с обем от 4 GB са идеално решение за мобилните устройства от ново поколение, като смартфони с големи UHD-екрани, таблети и свръхтънки лаптопи с много голяма резолюция на екрана.Масовото производство на новите чипове памет ще започне в началото на 2014 година. Цената засега не е анонсирана. |
|
 |
|
Статистика |
|
|
| Прегледи | 140 |
| Коментари | 0 |
| Рейтинг | |
| Добавена на | 30 Дек 2013 |
| Източник | Kaldata |
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
