Компанията Samsung Electronics Co., Ltd. обяви, че е разработила първия в компютърната индустрия чип за мобилна LPDDR4 DRAM памет с обем 8 гигабита, който е характерен с ниска консумация на електрическа енергия, рекордна за този клас памети плътност и висока производителност.

Samsung DRAM 8

Създадената нова мобилна DRAM памет е изготвена чрез 20 нанометров технологичен процес, при който върху един кристал се побира 1 гигабайт оперативна памет. Чипът с фирмения интерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) за вход/изход е характерен с високата скорост на обмен на информация на един извод, достигаща 3200 Mb/s. Това е два пъти повече от стандартните 20 нанометрови LPDDR3 DRAM чипове, като едновременно с това, новите чипове консумират до 40% по-малко енергия.Използваната от Samsung технология позволява обединяването на четири 8 гигабитови кристала в един корпус. Според производителя, модулите оперативна памет с обем от 4 GB са идеално решение за мобилните устройства от ново поколение, като смартфони с големи UHD-екрани, таблети и свръхтънки лаптопи с много голяма резолюция на екрана.Масовото производство на новите чипове памет ще започне в началото на 2014 година. Цената засега не е анонсирана.