Американският стартъп Crossbar отдавна се занимаваше със секретни разработки, но на 5-ти август тази година се завърна в публичното пространство с гръмко изявление. Компанията твърди, че е разработила нов тип памет, способна да замени NAND флаш-паметта. Новата памет, наречена Crossbar Resistive RAM (RRAM) позволява вместването на 1 терабайт информация върху чип с площ от 200 квадратни милиметра.
Скоростта на запис в новата Crossbar Resistive RAM памет възлиза на 140 мегабайта в секунда, а скоростта на четене - 170 мегабайта в секунда. Надеждността на новата памет е около 10 пъти по-висока в сравнение със стандартните флаш-модели, като консумираната електрическа енергия на RRAM паметта е 20 пъти по-малко от обикновената флаш-памет.
Разработчиците обясняват, че тези невероятни показатели са постигнати изключително благодарение на иновационния дизайн на чиповете, чрез който самите кристали образуват триизмерни мрежи.
Дизайнът на новите RRAM чипове напомня на триизмерната 3D V-NAND флаш-памет, с която вече ви запознахме, и която вече масово се произвежда от Samsung. Всъщност, корейците поместват "само" 129 Gb върху един чип, но вече разполагат не с прототипи, а с масово конвейерно производство.Crossbar предполага, че първите RRAM прототипи ще се появят след 1-две години. Фирмата привлече капитал в размер на 25 милиона американски долара и подаде заявки за над 100 патента, 30 от които вече са одобрени и получени.
