Компанията Samsung Electronics обяви, че започва масовото производство на флаш-памет от 10-нанометровия клас с обем от 128 Gb, способна да съхранява по три бита информация във всяка клетка (MLC NAND). Чиповете са предназначени за използване като постоянна памет в компютърната техника, както и за изграждане на твърдотелни запомнящи устройства.
Според думите на производителя, достигната е не само максималната за този отрасъл плътност на записа, а и максимална скорост. Новата памет поддържа скорост на предаване на информацията от 400 Mb/s чрез Toggle DDR2 интерфейс.
Появата на новите чипове ще позволи на Samsung да увеличи продажбите на паметите си с обем от 128 GB, както и да пусне на пазара твърдотелни запомнящи устройства с капаците над 500 GB.
Да отбележим, че корейският производител на компютърна техника усвои производството на MLC NAND памет от 10-нанометровия клас само преди няколко месеца.
С тези темпове, навярно скоро цената на 1 TB за SSD дисковете ще се изравни с тази на RAM паметта.