Samsung анонсира нови DDR2 SODIMM модули памет

Samsung анонсира започването на масово производство на DDR2 SODIMM модулите памет, изискващи най-малко енергия. Новите напълно буферирани 2 GB DRAM чипове се обединяват в модули от 4 GB и 8 GB, и осигуряват, че новата памет се захранва от 1.55 V, което е доста близко до волтажа на DDR3 стандарта - 1.5 V.

"Чрез комбинирането на 2 GB чипове с волтаж 1.55 V, изработени по 60 nm технология, ние предлагаме на сървърните производители нещо наистина страхотно", споделя Кевин Лий, вице-президент към Samsung Semiconductor, Inc. "Устройствата, използващи 2 GB модули предлагат ниска консумация на енергия, за която мечтаят повечето ИТ мениджъри."

Новите DDR2 чипове памет се очаква да се появят по-късно това тримесечие.