Toshiba и SanDisk готови да пуснат 43 nm флаш памет
Компаниите Toshiba и SanDisk почти едновременно публикуваха на своите сайтове съобщение, за успешното усвояване на 43-nm КМОП съвместим технологичен процес за флаш памети тип NAND. Това съвпадение не е случайно – компаниите работеха съвместно по разработката на нова производствена технология. За намерението на Toshiba да премине на 43-nm се знаеше още през пролетта на миналата година.
Според плановете на Toshiba, първи на пазара ще се появят 16-gigabit (Gb) NAND flash memory с архитектура (MLC). Масовото им производство ще стартира още през следващия месец.
През третото тримесечие компанията ще пусне в производство 32 gigabit чипове. Ще отбележим, че новите 43-nm чипове ще се изработват в завода Fab 4, който е съвместно предприятие на Toshiba и SanDisk.
SanDisk, на свой ред, ще започне доставки на 43 nm 16 gigabit чипове, които също ще се произвеждат от Fab 4, през второто тримесечие на тази година. В съобщението се казва, че през втората половина на 2008 година и Fab 3 ще премине на 43 nm производство.
