Samsung разработи икономични модули оперативна памет DDR3

	Samsung разработи икономични модули оперативна памет DDR3
	Компанията Samsung съобщи, че нейните инженери са успели да разработят икономични модули памет RDIMM за корпоративни сървъри със свръх-ниска консумация на електроенергия. Новите модули памет Samsung DDR3 са базирани на микросхеми, които са произведени в съответствие с 30-nm технологичен процес. Нека да отбележим, че модулите работят при захранващо напрежение от 1,25 V, което е значително по-ниско от това в обичайните модули памет DDR3 (1,5 V) и икономичните модули DDR3 (1,35 V). Въпреки това, според производителя, новите устройства имат и по-висока производителност. Новите модули RDIMM с капацитет 16 GB и работно напрежение от 1,25 V, консумират само 3.7 вата електроенергия на час, поддържайки скорост за предаване на данни 1333 Mbps. Тези модули консумират 15% по-малко електроенергия, от предишния рекордьор - RDIMM с капацитет 16 GB и работно напрежение от 1,35 V, на базата на микросхеми DDR3 и капацитет 4 GB, които са произведени по 30-nm технологичен процес. Освен това, устройствата консумират с 60% по-малко енергия, от RDIMM модулите с капацитет 16 GB и работно напрежение 1,35 V, на базата на микросхеми DDR3 2 GB, произведени по нормите на 40-nm технологичен процес. Samsung планира да започне масово производство на новите си модули оперативна памет с капацитет от 8 и 16 GB, след тестовете на OEM производителите. Очаква се, че през следващата година, RDIMM модулите памет с напрежение 1.25 V ще бъдат с повишено търсене в центровете за обработка на данни и корпоративните сървърни системи.

	Коментари
	Все още няма коментари