Компанията Hynix Semiconductor, известен производител на полупроводникови продукти, обяви нови модули оперативна памет DDR2 за работа на платформи Intel. Проверката на съответствието на техническите условия е станала на небуферирани модули UDIMM (unbuffered DIMM) 1 GB (HMP112U6DFR8C) и 2 GB (HMP125U6DFR8C), работещи на ефективна честота 800 MHz. изработени по 54 нм.

По данни на корейската компания, 1 GB чиповете са минали процедурата още през ноември миналата година. Преходът от 60-нм технологичен процес към 54 нм. е довел до намаляване площта на кристала с 40% и е довел до значително увеличение на скоростните характеристики и е намалил консумацията.

Масовото производство на новите 54-нм DDR2-чипове ще започне през втората половина на 2008 година.