Южнокорейският електронен гигант Samsung представи нов дизайн на своите чипове с ниска мощност DDR2. Модулите за оперативна памет имат капацитет от 4 гигабита.

Чиповете, предназначени за използване в мобилни устройства от висок клас като смартфони и таблети, ще се произвеждат в 30-нанометров процес, заявиха от компанията. Първите образци с по два чипа в пакет вече са доставени на потенциалните клиенти.

Модулите разполагат с възможност за трансфер на данни със скорост от 1066 мегабита в секунда. По този начин те могат да участват в компоненти, които се използват в решения за съхранение на данни в PC сегмента. Досега RAM паметите за мобилни устройства работеха с 333 до 400 мегабита в секунда.

Освен това, 8-гигабитовият пакет е станал и по-тънък, което позволява още по-компактен дизайн. Вместо 1 милиметър, височината на чипа вече е само 0.8 милиметра. В сравнение с предишните 8-гигабитови пакети, консумацията на енергия е намалена с 25 процента.