По-бърза и енергоспестяваща NOR флаш памет, благодарение на Fujitsu


Тази седмица Fujitsu публично разкри детайли за своя разработка, върху която компанията е работила в продължение на години. Това е технология, благодарение на която ще е възможно производството на NOR флаш памет, характеризираща се основно с изключително нискo време на достъп и ниско енергопотребление в работен режим. Задълбочавайки се още в списъка с характеристики, от Fujitsu посочват 100 000 цикъла на презапис, около 2.5 пъти по-ниско време на достъп, достигащо 10 ns спрямо текущото поколение флаш памети, както и понижено с 2/3 енергопотребление до 9 µA.

Използвайки друга патентована технология на Fujitsu, наречена FCRAM (fast-cycle random-access memory), приложението на NOR става възможно в най-различни области. Примери за това са микроконтролери с вградена флаш памет в областта на битовата електроника, автомобилостроенето и промишлеността.

Засега няма точна дата кога новата технология ще навлезе масово, но от Fujitsu обещават това да стане възможно най-скоро.

Коментари
Все още няма коментари
Статистика
Прегледи 174
Коментари 0
Рейтинг
Добавена на26 Март 2010
ИзточникKaldata

Тагове
Fujitsu