Samsung започна производство на 4GB чипове памет DDR3

В официално съобщение за пресата компанията Samsung заяви, че е разработила първата в света DDR3 памет с капацитет 4GB Захранващото напрежение на новите памети е 1.35 V, което е с 20% по-малко от напрежението 1.5 V, което се използва във всички DDR3 чип памети. Това е позволило общото енергопотребление да бъде намалено с 40%. При изработката е използвана 50 nm технология, а в бъдеще компанията предвижда да създаде чипове оперативна памет с капацитет до 32 GB за един модул.

Според прогнозни данни на International Data Corporation (IDC), продажбите на DDR3 памети в световен мащаб през 2009 ще достигнат 29%, а през 2011 година те ще са 75% от продажбите на всички видове памет.